Глава Intel: «мы будем опережать закон Мура»
Закон Мура был сформулирован одним из основателей Intel Гордоном Муром ещё в конце 60-х. Тогда он заявил,
что плотность размещения транзисторов на единице площади кристалла полупроводникового компонента удваивается
каждые полтора-два года. В 2015 году компания была вынуждена признать, что этот закон вынужденно замедляется:
удвоение плотности стало происходить раз в два с половиной года.
Теперь Патрик Гелсингер отметил, что закон Мура вскоре можно будет применять повторно. При этом правило
будет работать в течение всех последующих десяти лет, а Intel планирует его даже ускорить.
«
Мы сумеем изогнуть кривую, заставив удваиваться плотность размещения транзисторов быстрее, чем раз в два года.
И мы не успокоимся, пока не переберём всю периодическую таблицу элементов. Мы как блюстители закона Мура
будем продолжать движение по пути инноваций в магии кремния», — генеральный директор Intel Патрик Гелсингер.
Слова Гелсингера подкреплены амбициозными планами компании. Так, Intel планирует освоить новый тип сверхжёсткой
ультрафиолетовой литографии с высоким значением апертуры и уже договорилась о поставках нового оборудования.
Также будет задействована новая структура транзисторов RibbonFET и их компоновка по типу PowerVia, согласно которой
силовая разводка размещается с обратной стороны кристалла. Возможна и прогрессивная компоновка самих кристаллов внутри чипа.
Наконец, Intel напомнила о технологии Foveros Omni, которая позволяет размещать кристаллы послойно,
что существенно повышает количество транзисторов на единицу площади.
«Оленя надо забанить пока не стало слишком поздно» (с) 02nz
«Как же хорошо без оленя, боже мой» (с) R3DTHR3AT