Авторизация / Регистрация

[Zan]

Компания Intel в партнёрстве с дочерней структурой SoftBank, Saimemory, разрабатывает новую технологию памяти под названием Z-Angle Memory (ZAM). Проект направлен на решение дефицита высокопроизводительной памяти, вызванного бумом в области искусственного интеллекта.

ZAM использует инновационный подход к компоновке — соединения между слоями чипов располагаются по диагонали («Z-угол»), а не вертикально, как в традиционной памяти. Это позволяет эффективнее использовать площадь кристалла, повышая плотность данных и улучшая теплоотвод. Технология, вероятно, будет использовать медное гибридное соединение и бесконденсаторную архитектуру, а для подключения к процессорам ИИ задействуется разработка Intel — EMIB.

Ожидается, что по сравнению с текущим стандартом HBM память ZAM обеспечит:

• Снижение энергопотребления на 40–50%.
• Упрощение производственного процесса.
• Увеличение ёмкости до 512 ГБ на чип.

Первыми ZAM могут получить собственные чипы SoftBank серии Izanagi. Успех технологии на рынке во многом будет зависеть от её поддержки ключевыми игроками, такими как NVIDIA. Для Intel это возвращение в сегмент DRAM-памяти, который компания покинула в 1985 году.

Источники: wccftech

[LazySage]

Сообщение от Zan:

Успех технологии на рынке во многом будет зависеть от её поддержки ключевыми игроками

Так они ее когда собираются выпускать? Все уже закупят сколько надо памяти и забьют.

[cLiKeT]

Сообщение от LazySage:

Так они ее когда собираются выпускать? Все уже закупят сколько надо памяти и забьют.

Это так не работает, когда придет в условный упор количества памяти, встанет вопрос энергопотребления и обьема на сокет. Вот тут и придеn ZAM