Re: 7nm vs 10nm
На вопрос по теме. Победит маркетинг АМД. Если речь по техпроцесс- это суть одно и то же. В случае интел (10нм) - площадь ячейки памяти в пересчете на отдельные транзисторы. Следует понимать, что ячейка памяти имеет хитрую конфигурацию на кристалле, в итоге кучка составляющих его транзисторов в совокупности занимают площадь меньше чем отдельно взятый транзистор. В случае АМД (7нм)- ширина (!) канала сток-исток транзистора (не размер всего транзистора). Вообще говоря технологически мы уже застряли на 28 нм. Фотолитография с длиной волны 12 нм, и, как бы уже дальше никак. Уперлись в ограничения физики. Влияние интерференции на меньший размер транзистора будет уже значительно, несмотря на хитроумные маски. Так что, все эти техпроцессы- уже изголяния маркетологов. Быстродействие (и энергоэффективность) увеличивают не фактическим линейным изменением размеров транзисторов, как обещал некто Мур, а поисками хитрых конфигураций топологии ИС.
|